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      公司新聞

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      傳感器技術(shù)研究”是“九五”國家重點科技攻關(guān)項目。文中敘述了傳感器科技攻關(guān)在解決成果工程化、新產(chǎn)品開發(fā)和共性關(guān)鍵技術(shù)方面所取得的主要成績,包括技術(shù)**、中試生產(chǎn)和達到的技術(shù)水平。通過科技攻關(guān),提高了我國傳感器技術(shù)水平,促進了我國傳感器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

      1、引言

        2000年6月12日,在國家科技部的組織下,“96-748傳感器技術(shù)研究”國家重點科技攻關(guān)項目進行了項目驗收。與會專家聽取了項目實施組的“項目執(zhí)行自評估報告”后認為,“96-748傳感器技術(shù)研究”經(jīng)過3年攻關(guān)已經(jīng)圓滿地完成國家攻關(guān)項目規(guī)定的攻關(guān)目標(biāo)、考核目標(biāo)和研究內(nèi)容。本項目共計投入經(jīng)費6642.37萬元,國家撥款2500萬元。投入科技人員468人/年。通過3年的攻關(guān),共計建成中試生產(chǎn)線12條,其中工程化課題建成中試生產(chǎn)線9條,新產(chǎn)品開**題建成中試生產(chǎn)線3條,使18個品種75個規(guī)格的新產(chǎn)品形成一定規(guī)模的中試生產(chǎn);通過新產(chǎn)品開發(fā),開發(fā)了力敏、磁敏、溫度、濕氣敏的51個品種86個規(guī)格的新產(chǎn)品,90%的成果進行了批量或小批量生產(chǎn)并供應(yīng)市場。傳感器的共性關(guān)鍵技術(shù)包括CAD技術(shù)、關(guān)鍵制造工藝、微機械加工技術(shù)、可靠性技術(shù)在生產(chǎn)中得到應(yīng)用,攻關(guān)產(chǎn)品的成品率普遍提高10%以上,可靠性水平提高1-2個等級,建成傳感器實驗室、試驗基地5個;據(jù)不完全統(tǒng)計,攻關(guān)3年累計銷售各類傳感器1260多萬支,實現(xiàn)銷售收入14418多萬元,取得科研成果59項,總體水平達到國外九十年代中期的先進水平。獲得國家**32項(其中獲得和受理發(fā)明**11項),在國內(nèi)外各類期刊上發(fā)表學(xué)術(shù)論文和研究報告244篇,進行技術(shù)轉(zhuǎn)讓6項,取得較好的成績。

        “九五”傳感器科技攻關(guān)的指導(dǎo)思想是:一個目標(biāo)是提高傳感器的技術(shù)水平、可靠性水平和產(chǎn)業(yè)化程度。二個轉(zhuǎn)變是向提高企業(yè)技術(shù)進步轉(zhuǎn)變,向提高市場占有率轉(zhuǎn)變。三個結(jié)合是共性關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用技術(shù)相結(jié)合,加快產(chǎn)業(yè)化進程;典型產(chǎn)品開發(fā)與產(chǎn)品系列化相結(jié)合;滿足市場需要;科研開發(fā)與成果工程化相結(jié)合,實現(xiàn)適度規(guī)模生產(chǎn)。

        通過攻關(guān),在傳感器的關(guān)鍵制造工藝、新產(chǎn)品開發(fā)、科技成果的工程化等方面提高了我國傳感器的技術(shù)水平,促進了我國傳感器產(chǎn)業(yè)的形成,縮小了與世界先進水平的差距。

      2、在技術(shù)上,取得一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的成果

        通過攻關(guān),在技術(shù)上有所**,取得一批具有自主知識產(chǎn)權(quán)的科技成果,主要是:

      (1)復(fù)旦大學(xué)發(fā)明的掩膜-無掩膜腐蝕工藝為國際開創(chuàng)。不僅在實驗上取得凸角處出現(xiàn)[311]面的基本規(guī)律,理論上也推導(dǎo)出新的底面條件和新生底面深度和位置的公式,開創(chuàng)了用腐蝕技術(shù)制造微結(jié)構(gòu)的新工藝。利用KOH腐蝕液對于不同晶面腐蝕速率的差異,在理論和工藝上解決了采用一次掩膜技術(shù)形成三維多層微機械結(jié)構(gòu)的工藝,多層結(jié)構(gòu)層差控制精度在4/μm以內(nèi),轉(zhuǎn)移平面的平整度優(yōu)于1/tm,受理一項發(fā)明**。

      (2)清華大學(xué)研制成功一種基于石英諧振器應(yīng)變敏感效應(yīng)的數(shù)字式力與稱重傳感器。研究了敏感元件的力敏特性、諧振器的能陷效應(yīng)與諧振頻率、諧波次數(shù)和結(jié)構(gòu)的關(guān)系,保證了良好的頻率穩(wěn)定性。研制了專用膠粘劑,解決了影響傳感器蠕變和滯后性能的關(guān)鍵工藝,提高了傳感器性能指標(biāo)及合格率。在國內(nèi)外開創(chuàng)開發(fā)了系列化的下游應(yīng)用產(chǎn)品——各類石英電子衡器。取得6項實用新型**、一項發(fā)明**,受理4項發(fā)明**。

      (3)哈爾濱理工大學(xué)研制成功了"新型本征半導(dǎo)電高分子壓力溫度雙參數(shù)傳感器",**合成聚省醌自由基高聚物,這是一種壓敏系數(shù)和溫度系數(shù)極高的高分子材料,過材料表面處理等技術(shù)制成傳感器,解決了油井高溫潛油泵的溫度和壓力測量的難題。經(jīng)過檢索表明,新型本征高分子壓力溫度雙參數(shù)傳感器為國際開創(chuàng),已經(jīng)受理一項發(fā)明**。

      (4)沈陽儀器儀表工藝研究所在國內(nèi)**解決了擴散硅力敏芯片溫度靈敏度自補償工藝。通過調(diào)整平面工藝的摻雜工藝參數(shù),實現(xiàn)了在-30-80C的全溫區(qū)內(nèi),力敏芯片的靈敏度溫度漂移控制在5%o之內(nèi),實現(xiàn)了擴散硅力敏芯片的靈敏度溫度自補償。

      (5)沈陽儀器儀表工藝研究所開發(fā)了高靈敏度InSb薄膜制備工藝,解決了高密度、高磁導(dǎo)率鐵氧體基底磨拋工藝,In、Sb單質(zhì)蒸鍍工藝,敏感磨層微米級減薄工藝以及提高芯片靈敏度的摻雜工藝,研制的InSb薄膜完全能夠滿足制備高性能磁敏元件的需要。取得了兩項實用新型**和發(fā)明**。
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